Содержание драгоценных металлов в полупроводнике диоде 1Д508А
Драгоценный метал в составе изделия : золото
Золото: 0,000047
* Содержание в граммах на 1 шт.
Соответствие паспортным данным:
70-80 % по золоту
Страна изготовитель — Россия
Диод 1Д508А
Диоды 1Д508А германиевые, микросплавные, импульсные.
Предназначены для применения в сверхбыстродействующих формирователях импульсов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.
Основные технические характеристики диода 1Д508А:
• Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 8 В;
• Inp max — Максимальный прямой ток: 10 мА;
• Unp — Постоянное прямое напряжение: не более 0,75 В;
• Ioбp — Постоянный обратный ток: не более 60 мкА при Uoбp 8 В;
• Сд — Общая емкость: 0,75 пФ
Рекомендация по переработке: дробление, выборка элементов, содержащих драгоценные металлы.
Рекомендация по извлечению вторичных драгоценных металлов: Для однотипных изделий — выборка. В смеси с другими типами — выщелачивание алюминия, отсев, обжиг, растворение фракции с драгметаллами.
Информация о аффинаже драгоценных металлов (аффинаж: золота, серебра, платины, палладия) включает в себя источники и величины содержания драгоценных металлов в радиокомпонентах. Оборудование для аффинажа – советуем подбирать в зависимости от вида лома драгметалла и способа извлечения драгоценных металлов.
Помните что афинаж и извлечение драгоценных металлов это в первую очередь просто химия, но не забывайте о законах вашей страны которые регулируют обращение с вторичными драгоценными металлами.
Оставить комментарий